温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

虽然能够提高ＳＲＡＭ的集成度，但是第二金属配线ａ２、ｂ２必须与第一金属配线ａ１、ｂ１等在不同的层配线。从而增加了配线层，导致制造工序增加、制造工期延长以及制造成本增加等问题。分割Ｐ阱区，ＮＭＯＳ晶体管Ｎ１、Ｎ３形成于第一Ｐ阱区，ＮＭＯＳ晶体...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。