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文档序号:3214458
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一种转接通道,用于半导体晶片上,该半导体晶片表面上包含有一基底,一导电区域设于该基底之上,以及一介电层覆盖于该导电区域之上;该转接通道包含有一浅坑设于该介电层内,一转接通道洞设于该浅坑下方,并穿过该介电层而通达至该导电区域表面,一氮化硅衬层...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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