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本实用新型提供了一种沟槽式栅极IGBT结构，基板的表面开设有环形槽，环形槽的内部设置有铅环，元胞包括n型衬底，n型衬底的底部设置有p+集电极，p+集电极的底部设置有集电极金属，n型衬底的顶部设置有p型阱，p型阱的顶部依次设置有p+型短路区和...
该专利属于青岛佳恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛佳恩半导体有限公司授权不得商用。

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