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一种用于制造包含硅基底的半导体装置的方法，包括在基底上形成一层薄的氧化物底部薄膜，随后在氨中使该基底退火。然后以常规方法在栅极绝缘体上形成场效晶体管（ＦＥＴ）栅极。所产生的栅极绝缘体在电气上绝缘，并相比于传统的栅极氧化物绝缘体，其性能并无降...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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