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薄膜晶体管制造技术
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文档序号:3213720
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绝缘栅薄膜晶体管包括栅电极、源电极(20)和漏电极(24)。源电极和漏电极横向分离,并且在垂直方向上通过栅绝缘子层和非晶硅层与栅极(12)分隔。非晶硅层(16)的区域与形成晶体管沟道的源和漏电极之间的横向间隔垂直对齐,并且所述非晶硅层的区域...
该专利属于皇家菲利浦电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过皇家菲利浦电子有限公司授权不得商用。
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