温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种平面单元存储元件的硅化物膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供定义了平面单元阵列区和外围电路区的硅基片； 分别在所述基片的平面单元阵列区形成字线和位扩散层、在所述外围电路区板形成字线和源／漏结； 形成填平所述字...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。