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用ＵＶ－激发气体（如氯或氮）预处理于半导体底物上形成的氧氮化物或氧化物层，以改善层表面的状况和增加用于继后的四氮化三硅沉积的核化点的密度。这种预处理显示减少了较薄的四氮化三硅膜（物理厚度低于３６，或甚至低于２０）的均方根表面糙度，该四氮...
该专利属于马特森技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过马特森技术公司授权不得商用。

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