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一种形成嵌合式非挥发性存储器的方法。首先，在底材上形成氧化层／氮化层／氧化层，通过位元线微影在氧化层／氮化层／氧化层上形成光阻并执行一离子植入步骤，以在底材内形成位元线结构。接着，沉积第一多晶硅层，并通过字符线微影在第一多晶硅层上形成光阻，...
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