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一种用ＢｉＣＭＯＳ工艺来制造集成的多晶－多晶电容器的方法，它包括在淀积ＣＭＯＳ晶体管的栅电极的过程中制作多晶－多晶电容器的下平板电极；以及在生长异质结双极晶体管的ＳｉＧｅ基区的过程中制作上ＳｉＧｅ平板电极。...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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