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本发明公开了带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法，其中主要步骤为S80，为得到栅槽，对碳化硅进行第一次刻蚀，一次刻蚀所用掩膜包含一种低刻蚀选择比和一种较高刻蚀选择比的两种掩膜，分别用于形成栅槽下半部分的斜面和垂直面结构...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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