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在具有分别具备了２个ｎ型大容量存取晶体管和ｎ型大容量激励晶体管及ｐ型大容量负载晶体管的全ＣＭＯＳ型存储单元的半导体存储装置中，相对存储节点被连接的充电容量附加用的充电容量体由绝缘膜及导电膜构成，该绝缘膜及导电膜在上述第１及第２单元节点的上侧...
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