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一种制作金氧半导体（ＭＯＳ）晶体管的方法，其特征是：包含有： 提供一基底，其上具有一栅极； 进行一第一离子植入制程，以于该栅极两侧的该基底内各形成一第一掺杂区； 于该栅极的两侧壁上各形成一遮蔽层，且该遮蔽层包含一延伸部位于...
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