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一种嵌入式动态随机存取内存的整合自行对准金属硅化物闸极的制造方法，于半导体基底上依序形成闸极氧化层、第一复晶硅层、第一遮蔽层及第一硬罩幕层并定义形成闸极结构；于半导体基底上形成源／汲极；于半导体基底上形成第二遮蔽层、衬垫层及第一绝缘层以覆盖...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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