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一种晶圆背面减薄的方法及晶圆结构技术
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文档序号:32128538
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本申请实施例涉及半导体领域,提供一种晶圆背面减薄的方法及晶圆结构,其中,一种晶圆背面减薄的方法包括:提供晶圆,晶圆具有相对的第一面和第二面,且晶圆具有中心区和边缘区,边缘区包围中心区;在第一面的边缘区形成保护胶,保护胶还覆盖于与第一面相邻接...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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