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本发明涉及一种半导体缺陷对荧光寿命影响的检测装置及检测方法，检测装置的不同之处在于：其包括光发射系统、光分离收集系统和检测系统；光发射系统包括能聚焦至半导体样品表面同一位置的脉冲激光光源和连续激光光源，连续激光光源能聚焦至半导体样品表面以使...
该专利属于江苏华兴激光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏华兴激光科技有限公司授权不得商用。

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