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一种多重金属层内连线结构,设置于一具有电路的半导体基底上,该结构包括:一介电层,沉积于该半导体基底之上;第一金属线层与第二金属线层,分别镶嵌于介电层中,其中第一金属线层以一距离d,大体平行于第二金属线层;多个第一插塞,设置于介电层中,与该第...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种多重金属层内连线结构,设置于一具有电路的半导体基底上,该结构包括:一介电层,沉积于该半导体基底之上;第一金属线层与第二金属线层,分别镶嵌于介电层中,其中第一金属线层以一距离d,大体平行于第二金属线层;多个第一插塞,设置于介电层中,与该第...