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本发明公开了高SERS强度的Ag/SiO2共溅射单层膜制备方法，包括以下步骤：(1)硅片亲水处理；(2)制备Ag/SiO2共溅射单层膜；(3)利用氢氟酸对Ag/SiO2共溅射单层膜进行腐蚀，得高SERS强度Ag/SiO2共溅射单层膜。本发明...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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