【技术实现步骤摘要】
高SERS强度的Ag/SiO2共溅射单层膜制备方法
[0001]本专利技术涉及纳米材料制备
,尤其是涉及高SERS强度的Ag/SiO2共溅射单层膜制备方法。
技术介绍
[0002]利用磁控溅射、化学反应等技术可以实现不同程度上改善单层金属膜SERS强度较低的缺陷,制备简单可控,成本较低,可搭载在其他结构上,转移性较好。
[0003]磁控溅射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。它的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。
[0004]表面增强拉曼散射(SERS)技术克服了传统拉曼光谱与生俱来的信号微弱的缺点,可以使得拉曼强度增大几个数量级。其增强因子可以高达1014~1015倍,足以探测到单个分子的拉 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.高SERS强度的Ag/SiO2共溅射单层膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)硅片亲水处理:将清洗后的硅片置于烧杯中,加入氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中,煮至沸腾后保持煮沸,冷却后,倒出混合溶液,硅片用去离子水、无水乙醇反复超声;(2)制备Ag/SiO2共溅射单层膜:将银靶和二氧化硅靶分别倾斜40
°
,同时向硅片溅射,在硅片表面生成Ag/SiO2共溅射单层膜;(3)利用氢氟酸对Ag/SiO2共溅射单层膜进行腐蚀,得高SERS强度Ag/SiO2共溅射单层膜。2.根据权利要求1所述的高SERS强度的Ag/SiO2共溅射单层膜制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述清洗后的硅片通过以下步骤制得:用去离子水和无水乙醇分别浸泡干净硅片,超声处理。3.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵晓宇,梁龙杰,温嘉红,张永军,钟家松,张鉴,孔哲,王雅新,
申请(专利权)人:杭州电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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