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本发明对三维存储器（３Ｄ－Ｍ）作了进一步改进，并充分利用其与衬底电路的可集成性，来提高３Ｄ－Ｍ的的速度、成品率和可编程性。３Ｄ－Ｍ可以利用读出放大器（Ｓ／Ａ）、全读模式和自定时来提高其读速度。使用Ｓ／Ａ和全读模式还能极大地提高３Ｄ－Ｍ单位阵...
该专利属于张国飙所有，仅供学习研究参考，未经过张国飙授权不得商用。

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