专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
旺宏电子股份有限公司
>
蚀刻方法技术
>技术资料下载
下载蚀刻方法的技术资料
文档序号:3212438
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种减少废气排放量的蚀刻方法。首先,提供为介电质层所覆盖的底材,并将底材放置于耦合至射频电源与C#-[3]F#-[8]源的反应室。然后,在反应室内以低射频功率与低压力形成一等离子体,并以此等离子体蚀刻介电质。最后,终止等离子体的存在并将底材...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。