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本发明的运转监视方法，对预先成为基准的多个晶片（Ｗ）用检测器分别检测多个运转数据，用这些运转数据通过控制装置（１０）进行主因素分析。而且，用由运转数据产生的主因素分析结果，评价等离子体处理装置（１）的运转状态。...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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