下载不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法的技术资料

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不同偏度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法,涉及半导体晶体生长领域,尤其是一种砷化镓单晶的制备技术。本发明的方法包括了籽晶胚的加工和定向、籽晶抛光和清洗、单晶生长等步骤,其中,钻取种子胚大小适中,种子胚比种子小嘴内径小0.025mm该专利属于云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司授权不得商用。

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