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一种用于在数字电路中去耦高频噪声波的去耦装置，其形成为线装置，包括一部分的半导体衬底，在半导体衬底上形成的作为栅极氧化膜的绝缘膜，以及在绝缘膜上形成的作为门电极的互连线。互连线与半导体衬底之间的线电容为１００ｐＦ或更大，因此，该去耦装置能够...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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