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多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除制造技术
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文档序号:3211903
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本发明提供各种制造导体结构(10)的方法。一方面,本发明提供于第一工件(12)上制造导体结构(10)的方法。于第一工件(12)上形成硅膜(20)。于该硅膜(20)上形成抗反射涂层(22)。于该抗反射涂层(22)的第一部份上形成掩膜(24),...
该专利属于先进微装置公司所有,仅供学习研究参考,未经过先进微装置公司授权不得商用。
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