下载多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除的技术资料

文档序号:3211903

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本发明提供各种制造导体结构(10)的方法。一方面,本发明提供于第一工件(12)上制造导体结构(10)的方法。于第一工件(12)上形成硅膜(20)。于该硅膜(20)上形成抗反射涂层(22)。于该抗反射涂层(22)的第一部份上形成掩膜(24),...
该专利属于先进微装置公司所有,仅供学习研究参考,未经过先进微装置公司授权不得商用。

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