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提出一种到一个隐埋导电层的具有低电阻的接触结构的处理方法，该导电层在一个用以形成部分半导体元件的器件层之中或之下，其中，首先在所述器件层中实现一个到达所述隐埋的导电层的高掺杂区域，紧跟着一个蚀刻沟道的步骤，该沟道通过所述高掺杂区域，其蚀刻的...
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