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本发明提供一种浅沟道隔离物的制造方法，首先，提供一形成有沟道（其深宽比例如大于３）的半导体基底。然后顺应性地在所述沟道的侧壁与底部以及所述半导体基底的表面形成一氧化层，接着，利用旋转喷洒方式在所述沟道填入液体蚀刻遮蔽物，以当作蚀刻遮蔽物，其...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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