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一种超薄氮化硅／氧化硅栅极介电层的制造方法，是利用在一硅基材上，先氧化硅基材形成界面氧化层，再沉积氮化硅层在界面氧化层之上，再以等离子体氮化及等离子体氧化上述的氮化硅层。而热氧化硅基材是利用氧气或Ｎ＃－［２］Ｏ氧化上述的硅基材，以形成氧化硅...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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