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本发明的半导体器件包括具有主表面的ｐ型硅衬底（１）；在ｐ型硅衬底（１）的主表面上的元件隔离区形成的沟槽（２）；在沟槽（２）的内壁上形成的内壁氧化膜（３）；在内壁氧化膜（３）的表面上形成的氮氧化层（４）；以及埋入沟槽（２）内的隔离氧化膜（５）...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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