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一种半导体集成电路装置，其特征为包括： Ｐ／Ｎ型半导体衬底；至少一层Ｎ／Ｐ型外延层，层叠在该衬底表面上；第一Ｎ／Ｐ型埋层，形成在上述衬底与第一层外延层之间；第一Ｐ／Ｎ型埋层，形成在上述衬底与上述第一层外延层之间，且与上述第一Ｎ／Ｐ型埋...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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