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一种Ｌ型字线（ＷｏｒｄＬｉｎｅ）间隙壁的结构及其制造方法，此Ｌ型字线间隙壁应用于制造分离式栅极（ＳｐｌｉｔＧａｔｅ）的闪存（ＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙ）中，利用Ｌ型字线间隙壁与双层介电质间隙壁形成于闪存结构的两侧，不仅可以控制Ｌ型字线间隙...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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