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在此提供一种半导体器件，其能够防止其上面的电感器元件的性能下降。一个高电阻区域被提供在形成于该半导体基片上的电感器元件的下方。该高电阻区域被形成为比ｐ沟道和ｎ沟道ＭＯＳ晶体管更深，因此防止由于在电感器元件所产生的磁通量而导致涡电流的感应。...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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