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本发明提供一种形成接触孔的方法包括下列步骤：首先，提供一衬底，该衬底上形成有一多晶硅栅极结构，并且在该多晶硅栅极结构的两侧的衬底中形成有源极／漏极区域。形成一扩散阻挡层于该衬底、该多晶硅栅极层及该源极／漏极区域上。至少一内层介电层形成于该扩...
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