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一种干光刻法，包括如下步骤：　　　　制备硅图案转移目的物；　　　　将该图案转移目的物的需要部分在电子束下曝光；并且　　　　实施活性离子蚀刻工艺，以便选择性蚀刻未曝光部分，从而留下图案转移目的物上的曝光部分。...
该专利属于韩国电子通信研究院所有，仅供学习研究参考，未经过韩国电子通信研究院授权不得商用。

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