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一种制作一高密度电容的方法，先于一半导体基底表面的一介电层中形成至少一第一沟槽，接着于该半导体基底表面依序形成一第一衬层以及一第一导电层，并于该半导体基底表面进行一第一平坦化制程；随后于该介电层中形成至少一第二沟槽，且该第二沟槽与该第一沟槽...
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