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本发明涉及一种静电放电保护电路，包括一芯片，具有接收第一电源的输入输出装置区以及接收第二电源的核心元件区，核心元件区具有耦接于第二电源的接合垫，以及ＮＭＯＳ晶体管，其源极耦接于一接地电位。保护电路耦接于芯片以及接合垫之间，具有ＰＭＯＳ晶体管...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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