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本发明的目的是在同一衬底上形成：压缩截至电流的同时重视高耐压性能的ＴＦＴ；增大导通电流的同时重视高耐压性能的ＴＦＴ；重视短沟道结构以及因短沟道结构引起的门栏值降低的ＴＦＴ。本发明的特征在于使栅绝缘膜具有多层结构的同时，在半导体膜上形成不同于...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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