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本发明涉及一种包括高耐压ＭＯＳ晶体管的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件包括ＭＯＳ晶体管，其中第二导电型源区形成在第一导电型半导体区域上，一个偏移漏区互连到一个第二导电型漏区并且具有比一个漏区的杂质浓度更低的浓度，该偏移漏区由不...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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