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一种制造半导体设备的方法，依次包括以下步骤：　　　　在底层绝缘膜上淀积金属导电膜；　　　　依次在所述金属导电膜上淀积第一和第二绝缘膜；　　　　对所述第一和第二绝缘膜进行构图，以具有基本相同的构图区域；　　　　从所述第一绝缘膜有选择地腐蚀所述...
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