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本发明涉及一种用于薄膜晶体管（ＴＦＴ）的多晶硅薄膜和采用它制造的器件，其中，通过提供一种ＴＦＴ的多晶硅薄膜、和ＴＦＴ采用该多晶硅薄膜的器件，来改善ＴＦＴ和器件的均匀性，该多晶硅薄膜的特征在于，对于互相垂直设置的晶体管ＴＲ１和ＴＲ２而言，最大...
该专利属于三星SDI株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星SDI株式会社授权不得商用。

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