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一种无需进行化学机械抛光（ＣＭＰ）制造具有极好均匀厚度的纳米绝缘体上硅薄膜（ＳＯＩ）晶片的方法及用该方法制造的晶片。所述方法包括如下步骤：准备一个键合晶片和一个基底晶片，并且至少在所述键合晶片的表面上形成电介体。随后，通过在低电压下把杂质离...
该专利属于朴在仅;希特隆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过朴在仅;希特隆股份有限公司授权不得商用。

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