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提供了一种用于在衬底（１４）如半导体晶片上沉积高ｋ介电涂层的方法。对衬底进行一次或多次反应循环。例如，在典型的反应循环中，将衬底加热到一定的沉积温度。之后，在一个实施例中，将一种或多种用于反应的有机金属气体先质供应到反应容器（１２）中。还在...该专利属于马特森技术公司;加州大学评议会所有，仅供学习研究参考，未经过马特森技术公司;加州大学评议会授权不得商用。
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提供了一种用于在衬底（１４）如半导体晶片上沉积高ｋ介电涂层的方法。对衬底进行一次或多次反应循环。例如，在典型的反应循环中，将衬底加热到一定的沉积温度。之后，在一个实施例中，将一种或多种用于反应的有机金属气体先质供应到反应容器（１２）中。还在...