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一种半导体装置，是包括设置在基板上的埋绝缘膜上的半导体层、和将所述半导体层区分成多个活性区域的元件分离区域，在所述多个活性区域中的第１活性区域中配置了具有第１导电型沟道的第１晶体管、在所述多个活性区域中的第２活性区域中配置了具有第２导电型沟...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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