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一种半导体基材，所述基材包括： 低掺杂基材（５，１１，１６，３０），其杂质浓度低； 在低掺杂基材（５，１１，１６，３０）顶面形成的高掺杂扩散层（９；１４↓［１］，１４↓［２］；１９↓［１］，１９↓［２］；３３↓［１］，３３↓［２...该专利属于东芝陶瓷股份有限公司、株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过东芝陶瓷股份有限公司、株式会社东芝授权不得商用。
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一种半导体基材，所述基材包括： 低掺杂基材（５，１１，１６，３０），其杂质浓度低； 在低掺杂基材（５，１１，１６，３０）顶面形成的高掺杂扩散层（９；１４↓［１］，１４↓［２］；１９↓［１］，１９↓［２］；３３↓［１］，３３↓［２...