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一种半导体器件，其特征是包括：　　　　衬底表面上设置杂质区；　　　　在该杂质区的周端部设置的高浓度杂质区；　　　　贯通所述杂质区的多个槽式构造的第１晶体管；　　　　以及在所述第１晶体管外周，与所述高浓度杂质区接近，设置比所述第１晶体管还深的...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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