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具背面信道隔离的内存胞元晶体管被制造而不需使用ＳＯＩ基材。藉由以该字符线路堆栈做为屏蔽，该半导体材料在该字符线路两侧被蚀刻，先以不等向性蚀刻及接着为等向性蚀刻以加宽蚀刻孔洞及在闸电极下方及距离形成该闸介电体的该ＯＮＯ储存层一段距离形成一种底...该专利属于因芬尼昂技术股份公司;因芬尼昂技术弗拉斯有限责任两合公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司;因芬尼昂技术弗拉斯有限责任两合公司授权不得商用。