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一种自我对准浮置栅极的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于，至少包含下列步骤：　　　　提供一基材，其中该基材上依序堆叠一穿遂氧化层、一多晶硅层，及一已图案化氮化硅层；　　　　使用该已图案化氮化硅层为一罩幕，蚀刻该多晶硅层至该穿遂氧化层时停止...
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