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一种半导体器件结构，包括：　　　　衬底；　　　　淀积在该衬底上的介质层；　　　　淀积在该介质层上的第一和第二叠层；　　　　该第一叠层包括淀积在该介质层上的第一硅层、淀积在该第一硅层上的锗化硅层、淀积在该锗化硅层上的第二硅层以及淀积在该第二硅...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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