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一种形成同步运作双排区闪存元件的方法，其特征是，该方法包括下列步骤：　　　　提供多个闪存阵列；　　　　提供用于每一该些闪存阵列的多个列译码器及多个行译码器；以及　　　　分区该些闪存阵列为一第一存储器排区及一第二存储器排区，是通过耦接多个第一...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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