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本发明的一种制造半导体器件的方法包括：（ａ）在提供在绝缘膜１２上的半导体层１３上顺序形成栅绝缘膜１４、第一导电层１５和第一绝缘膜１６；（ｂ）有选择地除去所述半导体层、所述栅绝缘膜、所述第一导电层和所述第一绝缘膜，以形成器件隔离沟槽；（ｃ）在...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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