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本发明属于本发明属于半导体材料领域，涉及在半导体材料Ｓｉ衬底上生长Ⅱ－Ⅵ族薄膜的方法，是对Ⅱ－Ⅵ族半导体薄膜生长方法的改进，本发明先在Ｓｉ衬底上蒸镀一层ＺｎＯ薄膜，然后在氧气气氛下退火以得到取向较好的ＺｎＯ缓冲层，最后用金属有机物化学气相沉...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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